10
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 53.56 dBm (226 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1400 m, Pulsed CW
12
?sec(on), 10% Duty Cycle, f = 2140 MHz
56
54
52
37 3938
41
40
44
42
Actual
Ideal
P1dB = 52.75 dBm
(188 W)
57
55
51
43
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P6dB = 53.89 dBm (244 W)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
53
58
59
60
61
35343332
Test Impedances per Compression Level
Zsource
?
Zload
?
P3dB
4.43 -- j11.85
0.81 -- j2.87
Figure 16. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
36
P3dB = 54.65 dBm (290 W)
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=32Vdc,IDQ
= 1400 mA, Pulsed CW
12
?sec(on), 10% Duty Cycle, f = 2140 MHz
56
54
52
37 3938
4140
42
44
Actual
Ideal
P1dB = 53.54 dBm
(226 W)
57
55
43
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
P6dB = 54.88 dBm (307 W)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
53
58
59
60
61
62
353433
45
Test Impedances per Compression Level
Zsource
?
Zload
?
P3dB
4.43 -- j11.85
0.72 -- j2.87
Figure 17. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 32 V
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRF7S21210HSR5
MOSFET RF N-CH 63W NI-780S
MRF7S27130HSR5
MOSFET RF N-CH 23W NI-780S
MRF7S35015HSR5
MOSFET RF N-CH 15W NI-400S-240
MRF7S35120HSR5
MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
MRF7S38010HSR5
MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S
MRF7S38040HSR5
MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S
MRF7S38075HSR5
MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S
MRF8P18265HSR6
FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230S8
相关代理商/技术参数
MRF7S21170HS
功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF7S21170HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.1GHZ HV7 WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21170HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 2.1GHZ HV7 WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21210HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 63W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21210HR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ 63W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21210HSR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S21210HSR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.1GHZ WCDMA NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S27130HR3
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 2.7GHZ 130W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
